純硅膜的厚度有5nm, 9nm, 15nm, 35nm，利用濺射沉積純硅，允許對含氮和/或碳的樣品進(jìn)行元素分析。單晶純硅具有<1-0-0>取向，制作35 nm的薄膜，用于衍射研究和其它需要從單晶薄膜中獲得均勻的背景應用，。無(wú)孔硅薄膜輕微起皺，大約100微米間距有5微米或更少的偏轉，這對于高分辨率成像來(lái)說(shuō)通常是沒(méi)有問(wèn)題的。納米多孔硅Nanoporous采用P30膜使多孔窗口更加多孔，孔徑一般在10-60納米范圍。

l  納米級別的厚度-成像窗口的厚度為5到35 nm，降低背景的干擾，以更高的對比度成像。5nm厚的無(wú)孔純硅窗口比市面上最薄的非晶碳膜更薄。

l  可等離子清洗-可以強力等離子清洗，去除有機污染，不像傳統的碳膜

l  場(chǎng)到場(chǎng)的均勻性-非多孔純硅窗口比碳膜更薄，減少了場(chǎng)到場(chǎng)的可變性.(注：多孔窗口確實(shí)具有固有的結晶特征，但具有無(wú)背景納米尺度的孔隙)。

l  降低色彩模糊-與市面上最薄的無(wú)定形碳膜相比，5nm無(wú)孔純硅窗口的色彩模糊減少一半。這種巨大的差異是由于電子通過(guò)硅窗口的薄膜的非彈性散射減少了兩倍。反過(guò)來(lái)，減少的色彩模糊提供了一個(gè)潛在的成像分辨率的兩倍提高。

l  納米尺寸孔-純硅窗口可作為孔徑為5~50 nm的多孔薄膜?？紫对试S簡(jiǎn)單和穩定的懸浮納米材料進(jìn)行成像，而不干涉背景。

l  硅成分優(yōu)點(diǎn)- 純硅窗口的元素硅組分在高束流和高退火溫度下顯著(zhù)提高了穩定性。純硅成分還引入了最小的背景信號，使含有氮和/或碳的樣品的元素分析可以通過(guò)EDX和EELS進(jìn)行。

l  孤立的多晶體硅-多孔純硅窗口的多晶特性為x射線(xiàn)衍射研究提供了內部校準標準。孤立的晶體特征也為高分辨率尺寸測量提供了一個(gè)方便可靠的尺度，硅的晶格特征也很好。

l  親水性-無(wú)孔和多孔純硅窗口的親水性可通過(guò)等離子體和/或臭氧處理來(lái)調節，從而使樣品的制備變得更加容易，特別是在水溶液中的樣品。

l  高穩定性能-在高束流和高退火溫度下(無(wú)孔600°C，納米孔>1000°C)